Guia de seleção de liga de cobre com estrutura de chumbo 2026: C19400 vs C70250 vs C18150 vs C70350 vs C19200

Sep 07, 2026

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Introdução: O papel crítico dos materiais da estrutura de chumbo

 

A estrutura principal é o "esqueleto de metal" de um pacote semicondutor - que suporta e protege o chip, conecta o circuito interno à fiação externa e dissipa mais de 70% do calor do chip. À medida que os circuitos integrados evoluem para maior escala, maior densidade de potência e pacotes mais finos, selecionar a liga de cobre com estrutura de chumbo correta tornou-se uma decisão crítica de engenharia que afeta diretamente o desempenho, a confiabilidade e o custo do chip.

 

As ligas-à base de cobre dominam o mercado de materiais para armações de chumbo, representando mais de 90% de todos os materiais para armações de chumbo. Este guia fornece uma comparação abrangente das cinco ligas de cobre com estrutura de chumbo mais utilizadas -C19200, C19400, C70250, C18150, eC70350 - para ajudar engenheiros de embalagens, profissionais de compras e designers de semicondutores a tomar decisões informadas sobre a seleção de materiais.

 

As três gerações de ligas de cobre com estrutura de chumbo

 

A evolução das ligas de cobre com estrutura de chumbo reflete as crescentes demandas da indústria de semicondutores por maior resistência, maior condutividade e melhor estabilidade térmica.

Primeira Geração: Ligas Cu-Fe-P (C19200,C19400)

As ligas de Cu-Fe-P são os materiais para estruturas de chumbo mais amplamente utilizados, representando aproximadamente 80% do mercado de estruturas de chumbo à base de-cobre. Essas ligas alcançam suas propriedades através do fortalecimento da solução sólida combinado com a precipitação das fases Fe₂P, Fe₃P e Fe elementar.

 

C19200 contém aproximadamente 0,1% de ferro e 0,03% de fósforo. Oferece condutividade elétrica excepcionalmente alta de aproximadamente 90% IACS, mas sua resistência é relativamente baixa (dureza apenas HV 120-140). Devido à sua menor resistência, o C19200 é normalmente limitado a dispositivos semicondutores discretos.

 

C19400(muitas vezes referido como TAMAC194 pela Mitsubishi Materials) contém 2,1-2,6% de ferro, 0,015-0,15% de fósforo e 0,05-0,20% de zinco. Ao aumentar o teor de ferro de 0,1% para 2,3%, o C19400 atinge maior resistência (HV 140-150), mas ao custo de menor condutividade elétrica (60-65% IACS). Desde o seu desenvolvimento pela Olin Corporation na década de 1970, o C19400 continua sendo o material para armações de chumbo de maior volume no mercado. É amplamente utilizado em dispositivos discretos e em estruturas de chumbo IC de uso geral.

 

Segunda geração: ligas de Cu-Ni-Si (C70250, C70350)

As ligas de Cu-Ni-Si representam a segunda geração de materiais de estrutura de chumbo, desenvolvidos para atender aos requisitos de maior resistência dos circuitos integrados. Essas ligas alcançam suas propriedades através do endurecimento por precipitação via dispersão da fase Ni₂Si durante o tratamento de envelhecimento.

 

C70250 (também conhecido como C7025 ou CuNi3SiMg) normalmente contém 2,2-4,2% de níquel, 0,25-1,2% de silício e 0,05-0,30% de magnésio. Oferece um excelente equilíbrio entre resistência (resistência à tração 650-860 MPa) e condutividade elétrica (40-50% IACS). C7025 é o material preferido para quadros condutores de IC de grande e grande escala. Tornou-se a escolha principal para chips de IA, ICs de alta densidade e aplicações que exigem estampagem de passo fino (passo menor ou igual a 0,2 mm).

 

C70350 é uma liga de Cu-Ni-Co-Si que representa o "teto de desempenho" dos materiais de estrutura de chumbo. Oferece a maior resistência entre todas as ligas de estrutura de chumbo (780-980 MPa), mantendo 45-55% de condutividade IACS. Com resistência ultra-alta superior a 850 MPa e condutividade acima de 45% IACS, o C70350 se tornou um ponto importante de pesquisa para a próxima geração de tiras de estrutura de chumbo gravadas. É ideal para embalagens ultrafinas (menor ou igual a 0,1 mm), cenários de estresse térmico extremo e aplicações de IA/aeroespaciais de ponta.

 

Terceira geração: ligas de Cu-Cr-Zr (C18150)

As ligas de Cu-Cr-Zr representam a terceira geração de materiais para estrutura de chumbo, oferecendo a melhor combinação de ultra-alta condutividade e boa resistência.

C18150 (Cu-Cr-Zr) é uma liga de-cobre endurecido-cromo-zircônio por precipitação. Ele atinge uma condutividade elétrica maior ou igual a 80% IACS, ao mesmo tempo em que oferece resistência à tração de 540-640 MPa. O C18150 oferece resistência comparável ou superior ao C7025, mantendo a condutividade equivalente às ligas de Cu-Fe-P. Ele também oferece excelente resistência ao desgaste, soldabilidade e conformabilidade a frio/quente, tornando-o um forte candidato para futuras aplicações de estrutura de chumbo, especialmente em cenários de alta-corrente e alto{17}}estresse térmico, como chips de treinamento de IA e módulos de energia.

 

Tabela abrangente de comparação de desempenho

 

Liga Sistema Condutividade (% IACS) Resistência à tração (MPa) Dureza (HV) Temperatura de suavização. Principais pontos fortes Aplicativos primários
C19200 Cu-Fe-P Maior ou igual a 85 320-400 120-140 ~470 graus Condutividade ultra-alta, baixa geração de calor Dispositivos discretos, comutadores-de alta frequência, chips de gerenciamento de energia
C19400 Cu-Fe-P ~60 415-485 130-150 ~470 graus Melhor custo-desempenho, alto volume ICs-de uso geral, chips de memória (DRAM), produtos eletrônicos de consumo
C70250 Cu-Ni-Si 40-50 650-860 180-240 >500 graus Força-equilíbrio de condutividade, relaxamento de estresse Chips de IA, CIs de{0}}grande escala, processadores de smartphones, dispositivos 5G
C18150 Cu-Cr-Zr Maior ou igual a 80 540-640 110-145 Maior ou igual a 550 graus Alta condutividade + boa resistência, resistência ao desgaste Aplicativos-de alta corrente, chips de treinamento de IA, módulos de potência IGBT
C70350 Cu-Ni-Co-Si 45-55 780-980 200-250 >500 graus Maior resistência, anti-empenamento Pacotes-ultrafinos, estresse térmico extremo, setor aeroespacial

 

Três princípios fundamentais para seleção de liga de cobre com estrutura de chumbo

 

Nenhuma liga perfeita, apenas liga adequadaResistência versus condutividade é um compromisso clássico de engenharia. A seleção final será determinada de forma abrangente pelo consumo de energia do chip, espessura da embalagem e temperatura operacional de longo prazo.

A resistência à tração não é o único índice de avaliaçãoA resistência ao relaxamento do estresse e a resistência ao amolecimento em altas temperaturas determinam diretamente a confiabilidade do dispositivo a longo prazo.C70250eC70350mostram vantagens óbvias em relação à série Cu-Fe-P no desempenho de relaxamento do estresse.

Considere a realidade da produção e da cadeia de suprimentosAlém dos indicadores técnicos, você também deve avaliar a capacidade de fabricação da estampagem/gravação, a disponibilidade de localização nacional, a consistência do lote e o custo total de aquisição, e não apenas o preço da matéria-prima.

 

Principais termos técnicos explicados

 

IACS (Padrão Internacional de Cobre Recozido)– A referência em condutividade elétrica, com cobre puro recozido definido como 100% IACS.

Resistência à tracção– A tensão máxima que um material pode suportar antes da fratura (MPa). Chips de IA-de alta tecnologia geralmente exigem potência maior ou igual a 800 MPa, enquanto chips de potência-a-média podem funcionar com 400-600 MPa.

Resistência ao relaxamento do estresse– A capacidade de manter a força elástica sob altas temperaturas.C70250eC70350 superam significativamente o C19400 nesse aspecto, tornando-os mais confiáveis ​​para pressão de contato-de longo prazo em conectores e terminais.

Temperatura de amolecimento– A temperatura na qual o material começa a perder sua resistência devido aos efeitos de recozimento. C18150 oferece a mais alta temperatura de amolecimento (maior ou igual a 550 graus), tornando-o ideal para processos de soldagem e refluxo em alta-temperatura.

 

Árvore de decisão rápida

 

Potência > 500W?

Sim → Priorize a resistência ao amolecimento-de alta temperatura →C70250 / C70350

Não → Vá para a etapa 2

Espessura da embalagem <0,1 mm?

Sim → Priorizar anti-deformação →C70350 / C70250

Não → Vá para a etapa 3

Frequência do sinal > 10 GHz OU geração severa de calor?

Sim → Priorize alta condutividade →C19200 / C18150

Não →C19400(melhor desempenho-de custo)

 

Estrutura prática de seleção por parâmetros de nível de chip

 

Combine o grau de liga diretamente com a dissipação de energia do seu chip, espessura do pacote e frequência do sinal

Recurso de nível de chip Liga recomendada Razão
Potência Menor ou igual a 200 W, espessura da embalagem Maior ou igual a 0,12 mm, nível de consumo C19400 Bom custo-desempenho, resistência mecânica suficiente para produção em massa
Potência em torno de 500 W, embalagem convencional C70250 Força e condutividade equilibradas, boa propriedade anti-relaxamento
Potência em torno de 1.000 W, dissipação de calor de alta demanda C18150 Maior ou igual a 80% de condutividade IACS, excelente amolecimento anti-alta temperatura
Power >800 W + pacote ultrafino Menor ou igual a 0,1 mm C70350 Máxima resistência, excelente capacidade anti-empenamento
Dispositivo de comutação de alta frequência, alta corrente e sensível ao calor C19200 Maior ou igual a 85% IACS, baixa geração térmica

 

Tendências do setor para materiais de estrutura de chumbo de próxima geração

 

Impulsionada por três tendências: consumo crescente de energia do chip (1000 W+), frequência de sinal mais alta (448G) e embalagem ultrafina (menor ou igual a 0,03 mm), a liga de cobre com estrutura de chumbo evolui ao longo do caminho.o:C19400 (classe geral econômica)→ C70250 (classe balanceada de alta resistência) → C18150 (classe de alta condutividade) / C70350 (classe de ultra-alta resistência).

Os novos requisitos concentram-se no UCIe 3.0, aplicação de cabo de cobre 448G, tira ultrafina de 0,03 mm e ligas de cobre reforçadas por precipitação de alto desempenho. Os fabricantes nacionais chineses estão fazendo avanços contínuos em C19400, C70250, C18150 e C70350 para substituir materiais importados para fábricas de embalagens de semicondutores.

 

Resumo

 

Liga Melhor para Limitação de chave
C19200 Aplicações de alta-frequência, alta-corrente e sensíveis ao calor- Baixa resistência
C19400 ICs e chips de memória-de uso geral-sensíveis ao custo Força limitada para nós avançados
C70250 Chips de IA, ICs de{0}alta densidade, pacotes-de pitch fino Condutividade mais baixa do que ligas de Cu-Fe-P
C18150 Alta-corrente, alto-estresse térmico-, módulos de energia Fornecimento limitado, custo mais alto
C70350 Pacotes ultra{0}}finos, requisitos extremos de desempenho Custo mais alto, disponibilidade limitada

 

Conclusão:Escolha a liga que melhor corresponde ao consumo de energia, espessura da embalagem, temperatura operacional e metas de custo do seu chip. Em caso de dúvida, comece com a árvore de decisão acima - e consulte nossa equipe técnica para suporte técnico detalhado.

 

ALCANCE A NOSSA EQUIPE TÉCNICA

 

Perguntas frequentes

 

Q1: Por que não podemos simplesmente usar cobre puro para estruturas de chumbo?

R: O cobre puro oferece condutividade muito alta, mas baixa resistência à tração. É fácil deformar-se durante a estampagem de alta velocidade e a ciclagem térmica. As ligas de cobre adicionam elementos de liga para obter o equilíbrio entre resistência e condutividade para confiabilidade da embalagem.

 

P2: O que é resistência ao estresse e relaxamento e por que isso é importante?

R: O relaxamento do estresse descreve a capacidade do material de manter o estresse mecânico sob trabalho em alta temperatura a longo prazo. O mau relaxamento do estresse causará falha no contato da estrutura do eletrodo. C70250 / C70350 superam significativamente o C19400 neste indicador.

 

Q3: PodeC19400 substituir C18150?

R: Em cenários de temperatura normal para o consumidor, sem estresse térmico extremo, o C19400 pode substituir o C18150 para reduzir custos de aquisição. Para temperaturas de trabalho contínuas acima de 200 graus, C18150 (Cu‑Cr‑Zr) ainda é o preferido.

 

Q4: Qual é a diferença entre C19200 eC19400?

R: Ambos pertencem à série Cu‑Fe‑P. O C19200 tem uma condutividade muito maior (maior ou igual a 85% IACS), mas menor resistência, visando dispositivos de energia de alta corrente. O C19400 troca condutividade parcial por maior resistência mecânica para estruturas de circuito integrado de uso geral.

 

P5: Qual liga de cobre é melhor para estruturas de chumbo de baixo consumo de consumo?

R: C19400 (Cu‑Fe‑P) é a opção preferida. Ele oferece resistência equilibrada, bom desempenho de estampagem e excelente desempenho de custo para ICs de consumo e quadros de chumbo de dispositivos discretos com potência de chip menor ou igual a 200 W.

 

P6: Que liga devo escolher para estruturas de chumbo de chip AI de alta potência?

R: Para chips AI de potência média alta (~500 W), selecione C70250. Para potência acima de 800 W com embalagem ultrafina, o C70350 é recomendado por sua resistência ultraelevada e desempenho antiempenamento.

 

Q7: Qual é a principal diferença entre C19400 e C70250?

R: C19400 tem maior condutividade e menor custo para produtos de consumo em massa. O C70250 oferece resistência à tração muito maior e melhor resistência ao relaxamento de tensão para embalagens de semicondutores de alta confiabilidade e alta potência.

 

Q8: C18150 vs C19400: Quando devo escolher o C18150?

R: Escolha C18150 (Cu-Cr-Zr) se precisar de alta condutividade IACS maior ou igual a 80% e excelente resistência ao amolecimento em alta temperatura para chips de inferência de alta corrente. O C19400 funciona em cenários de temperatura normal para economizar custos.

 

Q9: Quando usar liga de cobre com estrutura de chumbo C19200?

R: C19200 é adequado para comutação de alta frequência e chips de gerenciamento de energia de alta corrente. Sua alta condutividade IACS maior ou igual a 85% ajuda a reduzir a geração de calor, embora sua resistência mecânica seja relativamente menor.

 

Q10: A espessura da embalagem afeta a seleção da liga de cobre da estrutura de chumbo?

R: Sim. Embalagens ultrafinas (menores ou iguais a 0,1 mm) requerem ligas de maior resistência, como C70250 ou C70350, para evitar empenamento da estrutura de chumbo durante o processo de embalagem.

 

Q11: As ligas de cobre com estrutura de chumbo fabricadas na China podem substituir materiais importados?

R: Sim. Os fabricantes locais alcançaram uma produção em massa estável para C19400 e C70250. C18150 e C70350 estão progredindo da produção experimental de pequenos lotes para a verificação do cliente.

 

Q12: A resistência à tração é o único fator chave para a seleção do material da estrutura principal?

R: Não. A resistência ao relaxamento do estresse, a resistência ao amolecimento em altas temperaturas, a condutividade, o rendimento de estampagem e o custo total de aquisição também influenciam fortemente a confiabilidade do dispositivo a longo prazo e o rendimento da produção em massa.

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